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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMD63N03XTA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMD63N03XTA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMD63N03XTA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMD63N03XTA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
ZXMD63N03XTC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 25950

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Anzahl

Spezifikation

ZXMD63N03XTA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMD63N03XTA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMD63N03XTA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-MSOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 10V  
Leistung - max 1.04W  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer ZXMD63  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMD63N03XTA.

Produkteigenschaften ZXMD63N03XTA ZXMD65P03N8TA ZXMD63C03XTA ZXMHC10A07N8TC
Artikelnummer ZXMD63N03XTA ZXMD65P03N8TA ZXMD63C03XTA ZXMHC10A07N8TC
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Leistung - max 1.04W 1.25W 1.04W 870mW
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V 25.7nC @ 10V 8nC @ 10V 2.9nC @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A 3.8A - 800mA, 680mA
Supplier Device-Gehäuse 8-MSOP 8-SO 8-MSOP 8-SO
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 4V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 30V 100V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V 930pF @ 25V 290pF @ 25V 138pF @ 60V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 1.7A, 10V 55mOhm @ 4.9A, 10V 135mOhm @ 1.7A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer ZXMD63 ZXMD65P03 ZXMD63 ZXMHC10A07
Serie - - - -

ZXMD63N03XTA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMD63N03XTA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMD63N03XTA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
ZXMD63N03XTC.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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