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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMHC10A07T8TA
ZXMHC10A07T8TA Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMHC10A07T8TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMHC10A07T8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMHC10A07T8TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-223-8
Datenblatt
ZXMHC10A07T8TA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 37130

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Anzahl

Spezifikation

ZXMHC10A07T8TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMHC10A07T8TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMHC10A07T8TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SM8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V  
Leistung - max 1.3W  
Verpackung / Gehäuse SOT-223-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A, 800mA  
Konfiguration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer ZXMHC10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMHC10A07T8TA.

Produkteigenschaften ZXMHC10A07T8TA ZXMD63P03XTA ZXMHC6A07N8TC ZXMD63N03XTA
Artikelnummer ZXMHC10A07T8TA ZXMD63P03XTA ZXMHC6A07N8TC ZXMD63N03XTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A, 800mA - 1.39A, 1.28A 2.3A
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V 270pF @ 25V 166pF @ 40V 290pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V 7nC @ 10V 3.2nC @ 10V 8nC @ 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 1.3W 1.04W 870mW 1.04W
Supplier Device-Gehäuse SM8 8-MSOP 8-SO 8-MSOP
Serie - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 30V 60V 30V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 P-Channel (Dual) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V 185mOhm @ 1.2A, 10V 250mOhm @ 1.8A, 10V 135mOhm @ 1.7A, 10V
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SOT-223-8 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Grundproduktnummer ZXMHC10 ZXMD63 ZXMHC6A07 ZXMD63
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)

ZXMHC10A07T8TA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMHC10A07T8TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMHC10A07T8TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Datenblätter
ZXMHC10A07T8TA.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-ZXMHC10A07T8TA

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