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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMD65P03N8TA
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMD65P03N8TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMD65P03N8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMD65P03N8TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
ZXMD65P03N8.pdf
vorrätig: 4070

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Spezifikation

ZXMD65P03N8TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMD65P03N8TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMD65P03N8TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.9A, 10V  
Leistung - max 1.25W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.7nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer ZXMD65P03  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMD65P03N8TA.

Produkteigenschaften ZXMD65P03N8TA ZXMHC10A07T8TA ZXMHC3A01N8TC ZXMD63N03XTA
Artikelnummer ZXMD65P03N8TA ZXMHC10A07T8TA ZXMHC3A01N8TC ZXMD63N03XTA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Serie - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.9A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V 125mOhm @ 2.5A, 10V 135mOhm @ 1.7A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - Logic Level Gate Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25.7nC @ 10V 2.9nC @ 10V 3.9nC @ 10V 8nC @ 10V
Leistung - max 1.25W 1.3W 870mW 1.04W
Grundproduktnummer ZXMD65P03 ZXMHC10 ZXMHC3A01 ZXMD63
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 100V 30V 30V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.8A 1A, 800mA 2.17A, 1.64A 2.3A
Supplier Device-Gehäuse 8-SO SM8 8-SO 8-MSOP
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 930pF @ 25V 138pF @ 60V 190pF @ 25V 290pF @ 25V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-223-8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

ZXMD65P03N8TA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMD65P03N8TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMD65P03N8TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
ZXMD65P03N8.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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