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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMHC10A07N8TC
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMHC10A07N8TC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMHC10A07N8TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMHC10A07N8TC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
ZXMHC10A07N8.pdf
RoHS Status
vorrätig: 86190

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Anzahl

Spezifikation

ZXMHC10A07N8TC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMHC10A07N8TC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMHC10A07N8TC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V  
Leistung - max 870mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 800mA, 680mA  
Konfiguration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer ZXMHC10A07  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMHC10A07N8TC.

Produkteigenschaften ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA ZXMHC6A07N8TC ZXMD65P02N8TC
Artikelnummer ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA ZXMHC6A07N8TC ZXMD65P02N8TC
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
FET-Merkmal - - Logic Level Gate -
Konfiguration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 P-Channel (Dual)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V 138pF @ 60V 166pF @ 40V 960pF @ 15V
Leistung - max 870mW 1.3W 870mW 1.75W
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 100V 60V 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V 2.9nC @ 10V 3.2nC @ 10V 20nC @ 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-223-8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 800mA, 680mA 1A, 800mA 1.39A, 1.28A 4A
Serie - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO SM8 8-SO 8-SO
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V 250mOhm @ 1.8A, 10V 50mOhm @ 2.9A, 4.5V
Grundproduktnummer ZXMHC10A07 ZXMHC10 ZXMHC6A07 ZXMD65P02

ZXMHC10A07N8TC Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMHC10A07N8TC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMHC10A07N8TC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
ZXMHC10A07N8.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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