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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMHC3A01N8TC
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMHC3A01N8TC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMHC3A01N8TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMHC3A01N8TC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
ZXMHC3A01N8.pdf
RoHS Status
vorrätig: 96090

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Spezifikation

ZXMHC3A01N8TC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMHC3A01N8TC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMHC3A01N8TC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.5A, 10V  
Leistung - max 870mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.17A, 1.64A  
Konfiguration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer ZXMHC3A01  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMHC3A01N8TC.

Produkteigenschaften ZXMHC3A01N8TC ZXMD63P03XTA ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA
Artikelnummer ZXMHC3A01N8TC ZXMD63P03XTA ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V 7nC @ 10V 2.9nC @ 10V 2.9nC @ 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-MSOP 8-SO SM8
Grundproduktnummer ZXMHC3A01 ZXMD63 ZXMHC10A07 ZXMHC10
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfiguration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 P-Channel (Dual) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V 270pF @ 25V 138pF @ 60V 138pF @ 60V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.17A, 1.64A - 800mA, 680mA 1A, 800mA
Leistung - max 870mW 1.04W 870mW 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.5A, 10V 185mOhm @ 1.2A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 100V 100V
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-223-8
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

ZXMHC3A01N8TC Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMHC3A01N8TC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMHC3A01N8TC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
ZXMHC3A01N8.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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