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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMD65P02N8TC
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMD65P02N8TC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMD65P02N8TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMD65P02N8TC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
ZXMD65P02N8.pdf
vorrätig: 4250

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Spezifikation

ZXMD65P02N8TC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMD65P02N8TC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMD65P02N8TC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.9A, 4.5V  
Leistung - max 1.75W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer ZXMD65P02  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMD65P02N8TC.

Produkteigenschaften ZXMD65P02N8TC ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA ZXMHC3F381N8TC
Artikelnummer ZXMD65P02N8TC ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA ZXMHC3F381N8TC
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 15V 138pF @ 60V 138pF @ 60V 430pF @ 15V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO SM8 8-SO
Serie - - - -
Grundproduktnummer ZXMD65P02 ZXMHC10A07 ZXMHC10 ZXMHC3F381
Betriebstemperatur - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.9A, 4.5V 700mOhm @ 1.5A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V 33mOhm @ 5A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A 800mA, 680mA 1A, 800mA 3.98A, 3.36A
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-223-8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 100V 100V 30V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Leistung - max 1.75W 870mW 1.3W 870mW
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 2.9nC @ 10V 2.9nC @ 10V 9nC @ 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

ZXMD65P02N8TC Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMD65P02N8TC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMD65P02N8TC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
Datenblätter
ZXMD65P02N8.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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