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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMHC6A07N8TC
Diodes Incorporated
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ZXMHC6A07N8TC - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMHC6A07N8TC
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMHC6A07N8TC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
ZXMHC6A07N8.pdf
RoHS Status
vorrätig: 96940

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Spezifikation

ZXMHC6A07N8TC Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMHC6A07N8TC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMHC6A07N8TC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1.8A, 10V  
Leistung - max 870mW  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 166pF @ 40V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.39A, 1.28A  
Konfiguration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer ZXMHC6A07  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMHC6A07N8TC.

Produkteigenschaften ZXMHC6A07N8TC ZXMHC3A01N8TC ZXMHC10A07N8TC ZXMHC6A07T8TA
Artikelnummer ZXMHC6A07N8TC ZXMHC3A01N8TC ZXMHC10A07N8TC ZXMHC6A07T8TA
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1.8A, 10V 125mOhm @ 2.5A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V 300mOhm @ 1.8A, 10V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 30V 100V 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.2nC @ 10V 3.9nC @ 10V 2.9nC @ 10V 3.2nC @ 10V
Leistung - max 870mW 870mW 870mW 1.3W
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO SM8
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.39A, 1.28A 2.17A, 1.64A 800mA, 680mA 1.6A, 1.3A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 166pF @ 40V 190pF @ 25V 138pF @ 60V 166pF @ 40V
Serie - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-223-8
Konfiguration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Grundproduktnummer ZXMHC6A07 ZXMHC3A01 ZXMHC10A07 ZXMHC6
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA

ZXMHC6A07N8TC Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMHC6A07N8TC PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMHC6A07N8TC - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021.pdf
Datenblätter
ZXMHC6A07N8.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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