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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysZXMHC3A01T8TA
ZXMHC3A01T8TA Image
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ZXMHC3A01T8TA - Diodes Incorporated

Hersteller Artikelnummer
ZXMHC3A01T8TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Allelco Artikelnummer
32D-ZXMHC3A01T8TA
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-223-8
Datenblatt
ZXMHC3A01T8TA.pdf
RoHS Status
vorrätig: 39516

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Anzahl

Spezifikation

ZXMHC3A01T8TA Tech -Spezifikationen
Diodes Incorporated - ZXMHC3A01T8TA Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Diodes Incorporated - ZXMHC3A01T8TA

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Diodes Incorporated  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SM8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V  
Leistung - max 1.3W  
Verpackung / Gehäuse SOT-223-8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A, 2A  
Konfiguration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer ZXMHC3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Diodes Incorporated ZXMHC3A01T8TA.

Produkteigenschaften ZXMHC3A01T8TA ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA ZXMHC3F381N8TC
Artikelnummer ZXMHC3A01T8TA ZXMHC10A07N8TC ZXMHC10A07T8TA ZXMHC3F381N8TC
Hersteller Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V 700mOhm @ 1.5A, 10V 33mOhm @ 5A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V 2.9nC @ 10V 2.9nC @ 10V 9nC @ 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SM8 8-SO SM8 8-SO
Serie - - - -
FET-Merkmal Logic Level Gate - - Logic Level Gate
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 25V 138pF @ 60V 138pF @ 60V 430pF @ 15V
Verpackung / Gehäuse SOT-223-8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-223-8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.7A, 2A 800mA, 680mA 1A, 800mA 3.98A, 3.36A
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 100V 100V 30V
Leistung - max 1.3W 870mW 1.3W 870mW
Konfiguration 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)
Grundproduktnummer ZXMHC3 ZXMHC10A07 ZXMHC10 ZXMHC3F381
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

ZXMHC3A01T8TA Datenblatt PDF

Laden Sie ZXMHC3A01T8TA PDF -Datenblätter und Diodes Incorporated -Dokumentation für ZXMHC3A01T8TA - Diodes Incorporated herunter.

Umweltinformationen
Diodes Environmental Compliance Cert.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Date Code Mark Update 13/Jan/2015.pdf
Datenblätter
ZXMHC3A01T8TA.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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