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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFB60N80P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFB60N80P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFB60N80P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFB60N80P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXFB60N80P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1353

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Spezifikation

IXFB60N80P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFB60N80P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFB60N80P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS264™  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 1250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFB60  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFB60N80P.

Produkteigenschaften IXFB60N80P IXFC15N80Q IXFB30N120P IXFB44N100P
Artikelnummer IXFB60N80P IXFC15N80Q IXFB30N120P IXFB44N100P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 1250W (Tc) 230W (Tc) 1250W (Tc) 1250W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 800 V 1200 V 1000 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 6.5V @ 1mA 6.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar
Grundproduktnummer IXFB60 IXFC15N80 IXFB30 IXFB44
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 30A, 10V 650mOhm @ 500mA, 10V 350mOhm @ 500mA, 10V 220mOhm @ 22A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 310 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 18000 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V 22500 pF @ 25 V 19000 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse PLUS264™ ISOPLUS220™ PLUS264™ PLUS264™
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA ISOPLUS220™ TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) 13A (Tc) 30A (Tc) 44A (Tc)
FET-Merkmal - - - -

IXFB60N80P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFB60N80P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFB60N80P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFB60N80P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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