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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFB70N60Q2
IXYS
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IXFB70N60Q2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFB70N60Q2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFB70N60Q2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXFB70N60Q2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 935

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Spezifikation

IXFB70N60Q2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFB70N60Q2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFB70N60Q2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS264™  
Serie HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 890W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 265 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFB70  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFB70N60Q2.

Produkteigenschaften IXFB70N60Q2 IXFC26N50 IXFB44N100P IXFB150N65X2
Artikelnummer IXFB70N60Q2 IXFC26N50 IXFB44N100P IXFB150N65X2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA ISOPLUS220™ TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Grundproduktnummer IXFB70 IXFC26N50 IXFB44 IXFB150
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12000 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 19000 pF @ 25 V 20400 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 1000 V 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 265 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 305 nC @ 10 V 430 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 890W (Tc) 230W (Tc) 1250W (Tc) 1560W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse PLUS264™ ISOPLUS220™ PLUS264™ PLUS264™
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc) 23A (Tc) 44A (Tc) 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88mOhm @ 35A, 10V 200mOhm @ 13A, 10V 220mOhm @ 22A, 10V 17mOhm @ 75A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 4V @ 4mA 6.5V @ 1mA 5.5V @ 8mA
Serie HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X2
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXFB70N60Q2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFB70N60Q2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFB70N60Q2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFB70N60Q2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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