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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFC24N50
IXFC24N50 Image
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IXFC24N50 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFC24N50
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFC24N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ISOPLUS220™
Datenblatt
IXFC24N50, IXFC26N50.pdf
vorrätig: 3890

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Spezifikation

IXFC24N50 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFC24N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFC24N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS220™  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ISOPLUS220™  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFC24N50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFC24N50.

Produkteigenschaften IXFC24N50 IXFB70N60Q2 IXFB60N80P IXFC13N50
Artikelnummer IXFC24N50 IXFB70N60Q2 IXFB60N80P IXFC13N50
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc) 70A (Tc) 60A (Tc) 12A (Tc)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5.5V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 2.5mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 18000 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135 nC @ 10 V 265 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 890W (Tc) 1250W (Tc) 140W (Tc)
Grundproduktnummer IXFC24N50 IXFB70 IXFB60 IXFC13N50
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS220™ PLUS264™ PLUS264™ ISOPLUS220™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 800 V 500 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 12A, 10V 88mOhm @ 35A, 10V 140mOhm @ 30A, 10V 400mOhm @ 6.5A, 10V
Verpackung / Gehäuse ISOPLUS220™ TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA ISOPLUS220™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IXFC24N50 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFC24N50 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFC24N50 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 13/Dec/2013.pdf
Datenblätter
IXFC24N50, IXFC26N50.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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