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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFB72N55Q2
IXYS
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IXFB72N55Q2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFB72N55Q2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFB72N55Q2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXFB72N55Q2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4360

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Spezifikation

IXFB72N55Q2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFB72N55Q2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFB72N55Q2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS264™  
Serie HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 890W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 258 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 550 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 72A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFB72  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFB72N55Q2.

Produkteigenschaften IXFB72N55Q2 IXFC24N50 IXFB40N110P IXFB50N80Q2
Artikelnummer IXFB72N55Q2 IXFC24N50 IXFB40N110P IXFB50N80Q2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 550 V 500 V 1100 V 800 V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA ISOPLUS220™ TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 258 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 310 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IXFB72 IXFC24N50 IXFB40 IXFB50
Supplier Device-Gehäuse PLUS264™ ISOPLUS220™ PLUS264™ PLUS264™
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 890W (Tc) 230W (Tc) 1250W (Tc) 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 500mA, 10V 230mOhm @ 12A, 10V 260mOhm @ 20A, 10V 160mOhm @ 500mA, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10500 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 19000 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Serie HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 4V @ 4mA 6.5V @ 1mA 5.5V @ 8mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 72A (Tc) 21A (Tc) 40A (Tc) 50A (Tc)

IXFB72N55Q2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFB72N55Q2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFB72N55Q2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFB72N55Q2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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