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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFC15N80Q
IXFC15N80Q Image
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IXFC15N80Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFC15N80Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFC15N80Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ISOPLUS220™
Datenblatt
IXFC15N80Q.pdf
vorrätig: 3940

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Spezifikation

IXFC15N80Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFC15N80Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFC15N80Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS220™  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse ISOPLUS220™  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFC15N80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFC15N80Q.

Produkteigenschaften IXFC15N80Q IXFC24N50 IXFE180N20 IXFC40N30Q
Artikelnummer IXFC15N80Q IXFC24N50 IXFE180N20 IXFC40N30Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS220™ ISOPLUS220™ SOT-227B ISOPLUS220™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 500 V 200 V 300 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 4V @ 4mA 4V @ 8mA -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Tc) 21A (Tc) 158A (Tc) -
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 230W (Tc) 500W (Tc) -
Grundproduktnummer IXFC15N80 IXFC24N50 IXFE180 IXFC40N30
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ -
Verpackung / Gehäuse ISOPLUS220™ ISOPLUS220™ SOT-227-4, miniBLOC ISOPLUS220™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 14400 pF @ 25 V -
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 10V 230mOhm @ 12A, 10V 12mOhm @ 500mA, 10V -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Chassis Mount Through Hole
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -

IXFC15N80Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFC15N80Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFC15N80Q - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 13/Dec/2013.pdf
Datenblätter
IXFC15N80Q.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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