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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK27N80Q
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFK27N80Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK27N80Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK27N80Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(K,X)27N80Q.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1942

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Anzahl

Spezifikation

IXFK27N80Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK27N80Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK27N80Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 27A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK27  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK27N80Q.

Produkteigenschaften IXFK27N80Q IXFK26N90 IXFK32N60 IXFK32N80P
Artikelnummer IXFK27N80Q IXFK26N90 IXFK32N60 IXFK32N80P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 900 V 600 V 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320mOhm @ 500mA, 10V 300mOhm @ 13A, 10V 250mOhm @ 500mA, 10V 270mOhm @ 16A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 27A (Tc) 26A (Tc) 32A (Tc) 32A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 325 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXFK27 IXFK26 IXFK32 IXFK32
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 560W (Tc) 500W (Tc) 830W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXFK27N80Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK27N80Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK27N80Q - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,X)27N80Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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