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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK26N60Q
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFK26N60Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK26N60Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK26N60Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 26A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(K,X)26N60Q.pdf
vorrätig: 4750

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Spezifikation

IXFK26N60Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK26N60Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK26N60Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK26  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK26N60Q.

Produkteigenschaften IXFK26N60Q IXFK21N100F IXFK26N90 IXFK25N90
Artikelnummer IXFK26N60Q IXFK21N100F IXFK26N90 IXFK25N90
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HiPerFET™ HiPerRF™ HiPerFET™ HiPerFET™
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc) 21A (Tc) 26A (Tc) 25A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 500W (Tc) 560W (Tc) 560W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 1000 V 900 V 900 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 13A, 10V 500mOhm @ 10.5A, 10V 300mOhm @ 13A, 10V 330mOhm @ 500mA, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 5.5V @ 4mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer IXFK26 IXFK21 IXFK26 IXFK250
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IXFK26N60Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK26N60Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK26N60Q - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXF(K,X)26N60Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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