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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK26N90
IXYS
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IXFK26N90 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK26N90
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK26N90
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 900V 26A TO-264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(K,X)26N90/25N90.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2166

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Anzahl

Spezifikation

IXFK26N90 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK26N90 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK26N90

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 560W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK26  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK26N90.

Produkteigenschaften IXFK26N90 IXFK32N80P IXFK30N100Q2 IXFK26N60Q
Artikelnummer IXFK26N90 IXFK32N80P IXFK30N100Q2 IXFK26N60Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc) 32A (Tc) 30A (Tc) 26A (Tc)
Grundproduktnummer IXFK26 IXFK32 IXFK30 IXFK26
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 560W (Tc) 830W (Tc) 735W (Tc) 360W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900 V 800 V 1000 V 600 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10800 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V 8200 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA 4.5V @ 4mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 13A, 10V 270mOhm @ 16A, 10V 400mOhm @ 15A, 10V 250mOhm @ 13A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 186 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™

IXFK26N90 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK26N90 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK26N90 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,X)26N90/25N90.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf

Lieferung

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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