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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN100N10S2
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN100N10S2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN100N10S2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN100N10S2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN100N10S1/2/3.pdf
vorrätig: 5230

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Spezifikation

IXFN100N10S2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN100N10S2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN100N10S2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN100N10S2.

Produkteigenschaften IXFN100N10S2 IXFN100N25 IXFK98N50P3 IXFN100N20
Artikelnummer IXFN100N10S2 IXFN100N25 IXFK98N50P3 IXFN100N20
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 197 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 13100 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 500mA, 10V 27mOhm @ 500mA, 10V 50mOhm @ 500mA, 10V 23mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 600W (Tc) 1300W (Tc) 520W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 250 V 500 V 200 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B TO-264AA (IXFK) SOT-227B
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) 98A (Tc) 100A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IXFN100 IXFN100 IXFK98 IXFN100
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA

IXFN100N10S2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN100N10S2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN100N10S2 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXFN100N10S1/2/3.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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