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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN100N65X2
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN100N65X2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN100N65X2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN100N65X2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 78A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN100N65X2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1725

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Spezifikation

IXFN100N65X2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN100N65X2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN100N65X2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Ultra X2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 595W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 183 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 78A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN100N65X2.

Produkteigenschaften IXFN100N65X2 IXFN120N65X2 IXFN100N20 IXFN120N20
Artikelnummer IXFN100N65X2 IXFN120N65X2 IXFN100N20 IXFN120N20
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IXFN100 IXFN120 IXFN100 IXFN120
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 183 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Serie HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™ HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 50A, 10V 24mOhm @ 54A, 10V 23mOhm @ 500mA, 10V 17mOhm @ 500mA, 10V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10800 pF @ 25 V 15500 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 650 V 200 V 200 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5.5V @ 8mA 4V @ 8mA 4V @ 8mA
Verlustleistung (max) 595W (Tc) 890W (Tc) 520W (Tc) 600W (Tc)
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 78A (Tc) 108A (Tc) 100A (Tc) 120A (Tc)

IXFN100N65X2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN100N65X2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN100N65X2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN100N65X2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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