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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN100N20
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN100N20 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN100N20
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN100N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFK90N20, IXFN(100,106)N20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5280

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Spezifikation

IXFN100N20 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN100N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN100N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 520W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN100N20.

Produkteigenschaften IXFN100N20 IXFK98N50P3 IXFN100N10S3 IXFN100N50Q3
Artikelnummer IXFN100N20 IXFK98N50P3 IXFN100N10S3 IXFN100N50Q3
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q3 Class
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V 13100 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 13800 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 98A (Tc) 100A (Tc) 82A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V 197 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 255 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 520W (Tc) 1300W (Tc) 360W (Tc) 960W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 4mA 6.5V @ 8mA
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B TO-264AA (IXFK) SOT-227B SOT-227B
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXFN100 IXFK98 IXFN100 IXFN100
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 500mA, 10V 50mOhm @ 500mA, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V 49mOhm @ 50A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 500 V 100 V 500 V
Paket Tube Tube Tube Tube

IXFN100N20 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN100N20 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN100N20 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFK90N20, IXFN(100,106)N20.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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