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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN106N20
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN106N20 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN106N20
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN106N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFK90N20, IXFN(100,106)N20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1988

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Spezifikation

IXFN106N20 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN106N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN106N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 521W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 106A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN106  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN106N20.

Produkteigenschaften IXFN106N20 IXFN100N50P IXFN130N30 IXFN100N10S2
Artikelnummer IXFN106N20 IXFN100N50P IXFN130N30 IXFN100N10S2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 106A (Tc) 90A (Tc) 130A (Tc) 100A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 5V @ 8mA 4V @ 8mA 4V @ 4mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Verlustleistung (max) 521W (Tc) 1040W (Tc) 700W (Tc) 360W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 500 V 300 V 100 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 25 V 20000 pF @ 25 V 14500 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 500mA, 10V 49mOhm @ 50A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Grundproduktnummer IXFN106 IXFN100 IXFN130 IXFN100

IXFN106N20 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN106N20 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN106N20 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFK90N20, IXFN(100,106)N20.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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