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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN100N50Q3
IXYS
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IXFN100N50Q3 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN100N50Q3
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN100N50Q3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN100N50Q3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 950

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Spezifikation

IXFN100N50Q3 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN100N50Q3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN100N50Q3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Q3 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 960W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 82A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN100N50Q3.

Produkteigenschaften IXFN100N50Q3 IXFN100N10S1 IXFN100N65X2 IXFN120N65X2
Artikelnummer IXFN100N50Q3 IXFN100N10S1 IXFN100N65X2 IXFN120N65X2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verlustleistung (max) 960W (Tc) 360W (Tc) 595W (Tc) 890W (Tc)
Serie HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Ultra X2
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 100 V 650 V 650 V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Paket Tube Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 255 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 183 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA 4V @ 4mA 5V @ 4mA 5.5V @ 8mA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IXFN100 IXFN100 IXFN100 IXFN120
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13800 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 15500 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 82A (Tc) 100A (Tc) 78A (Tc) 108A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 50A, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V 30mOhm @ 50A, 10V 24mOhm @ 54A, 10V

IXFN100N50Q3 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN100N50Q3 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN100N50Q3 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN100N50Q3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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