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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN100N25
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN100N25 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN100N25
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN100N25
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN100N25.pdf
vorrätig: 5090

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Spezifikation

IXFN100N25 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN100N25 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN100N25

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 600W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN100N25.

Produkteigenschaften IXFN100N25 IXFN106N20 IXFN100N50Q3 IXFN120N20
Artikelnummer IXFN100N25 IXFN106N20 IXFN100N50Q3 IXFN120N20
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 500mA, 10V 20mOhm @ 500mA, 10V 49mOhm @ 50A, 10V 17mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 200 V 500 V 200 V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™
Grundproduktnummer IXFN100 IXFN106 IXFN100 IXFN120
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 4V @ 8mA 6.5V @ 8mA 4V @ 8mA
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 13800 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 255 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 106A (Tc) 82A (Tc) 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 600W (Tc) 521W (Tc) 960W (Tc) 600W (Tc)

IXFN100N25 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN100N25 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN100N25 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXFN100N25.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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