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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN120N20
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN120N20 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN120N20
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN120N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN120N20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 905

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Anzahl

Spezifikation

IXFN120N20 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN120N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN120N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 600W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN120N20.

Produkteigenschaften IXFN120N20 IXFN106N20 IXFN120N65X2 IXFN140N30P
Artikelnummer IXFN120N20 IXFN106N20 IXFN120N65X2 IXFN140N30P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 500mA, 10V 20mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 54A, 10V 24mOhm @ 70A, 10V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™, Polar
Verlustleistung (max) 600W (Tc) 521W (Tc) 890W (Tc) 700W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA 4V @ 8mA 5.5V @ 8mA 5V @ 8mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 650 V 300 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer IXFN120 IXFN106 IXFN120 IXFN140
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9100 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 15500 pF @ 25 V 14800 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 106A (Tc) 108A (Tc) 110A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 185 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V

IXFN120N20 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN120N20 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN120N20 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXFN120N20.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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