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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFR27N80Q
IXFR27N80Q Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFR27N80Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFR27N80Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFR27N80Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXF(K,R,X)27N80Q.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5290

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Anzahl

Spezifikation

IXFR27N80Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFR27N80Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFR27N80Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 13.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 27A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFR27  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFR27N80Q.

Produkteigenschaften IXFR27N80Q IXFR44N60 IXFR38N80Q2 IXFR21N100Q
Artikelnummer IXFR27N80Q IXFR44N60 IXFR38N80Q2 IXFR21N100Q
Hersteller IXYS IXYS Corporation IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 13.5A, 10V 130 mOhm @ 22A, 10V 240mOhm @ 19A, 10V 500mOhm @ 10.5A, 10V
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Q Class
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 8mA 5V @ 4mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600V 800 V 1000 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V 8900pF @ 25V 8340 pF @ 25 V 5900 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 400W (Tc) 416W (Tc) 350W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V 330nC @ 10V 190 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Paket Tube - Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 27A (Tc) 38A (Tc) 28A (Tc) 18A (Tc)
Grundproduktnummer IXFR27 - IXFR38 IXFR21
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 ISOPLUS247™ TO-247-3 TO-247-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V

IXFR27N80Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFR27N80Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFR27N80Q - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,R,X)27N80Q.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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