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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFR44N50Q
IXFR44N50Q Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFR44N50Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFR44N50Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFR44N50Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFR(44,48)N50Q.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2106

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Anzahl

Spezifikation

IXFR44N50Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFR44N50Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFR44N50Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 310W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFR44  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFR44N50Q.

Produkteigenschaften IXFR44N50Q IXFR44N80P IXFR44N60 IXFR34N80
Artikelnummer IXFR44N50Q IXFR44N80P IXFR44N60 IXFR34N80
Hersteller IXYS IXYS IXYS Corporation IXYS
Paket Tube Tube - Tube
Grundproduktnummer IXFR44 IXFR44 - IXFR34
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 800 V 600V 800 V
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 8900pF @ 25V 7500 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 310W (Tc) 300W (Tc) 400W (Tc) 416W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4V @ 8mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 34A (Tc) 25A (Tc) 38A (Tc) 28A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 ISOPLUS247™ TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 22A, 10V 200mOhm @ 22A, 10V 130 mOhm @ 22A, 10V 240mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 330nC @ 10V 270 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IXFR44N50Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFR44N50Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFR44N50Q - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFR(44,48)N50Q.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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