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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFR44N60
IXFR44N60 Image
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IXFR44N60 - IXYS Corporation

Hersteller Artikelnummer
IXFR44N60
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFR44N60
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ISOPLUS247™
Datenblatt
IXFR44N60.pdf
RoHS Status
Bleifrei / RoHS-konform
vorrätig: 1429

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Spezifikation

IXFR44N60 Tech -Spezifikationen
IXYS Corporation - IXFR44N60 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS Corporation - IXFR44N60

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 400W (Tc)  
Verpackung Tube  
Verpackung / Gehäuse ISOPLUS247™  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Hersteller Standard Vorlaufzeit 26 Weeks  
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8900pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V  
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 38A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS Corporation IXFR44N60.

Produkteigenschaften IXFR44N60 IXFR32N50Q IXFR90N30 IXFR4N100Q
Artikelnummer IXFR44N60 IXFR32N50Q IXFR90N30 IXFR4N100Q
Hersteller IXYS Corporation IXYS IXYS IXYS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V 150 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Verlustleistung (max) 400W (Tc) 310W (Tc) 417W (Tc) 80W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc) 30A (Tc) 75A (Tc) 3.5A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 5V @ 1.5mA
Verpackung Tube - - -
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V 500 V 300 V 1000 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8900pF @ 25V 3950 pF @ 25 V 10000 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse ISOPLUS247™ TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
detaillierte Beschreibung N-Channel 600V 38A (Tc) 400W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 22A, 10V 160mOhm @ 16A, 10V 33mOhm @ 45A, 10V 3Ohm @ 2A, 10V
Hersteller Standard Vorlaufzeit 26 Weeks - - -

IXFR44N60 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFR44N60 PDF -Datenblätter und IXYS Corporation -Dokumentation für IXFR44N60 - IXYS Corporation herunter.

Datenblätte
IXFR44N60.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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