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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFR36N60P
IXFR36N60P Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFR36N60P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFR36N60P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFR36N60P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFR36N60P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3071

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Spezifikation

IXFR36N60P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFR36N60P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFR36N60P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 208W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFR36  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFR36N60P.

Produkteigenschaften IXFR36N60P IXFR36N50P IXFR30N50Q IXFR4N100Q
Artikelnummer IXFR36N60P IXFR36N50P IXFR30N50Q IXFR4N100Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 102 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Box
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5800 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V 3950 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 208W (Tc) 156W (Tc) 310W (Tc) 80W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 19A (Tc) 30A (Tc) 3.5A (Tc)
Grundproduktnummer IXFR36 IXFR36 IXFR30 IXFR4N100
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 5V @ 4mA 4V @ 4mA 5V @ 1.5mA
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 500 V 1000 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 18A, 10V 190mOhm @ 18A, 10V 160mOhm @ 15A, 10V 3Ohm @ 2A, 10V

IXFR36N60P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFR36N60P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFR36N60P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFR36N60P.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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