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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFR38N80Q2
IXFR38N80Q2 Image
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IXFR38N80Q2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFR38N80Q2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFR38N80Q2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFR38N80Q2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4350

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Anzahl

Spezifikation

IXFR38N80Q2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFR38N80Q2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFR38N80Q2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™, Q2 Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 19A, 10V  
Verlustleistung (max) 416W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFR38  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFR38N80Q2.

Produkteigenschaften IXFR38N80Q2 IXFR44N60 IXFR26N50Q IXFR44N50Q
Artikelnummer IXFR38N80Q2 IXFR44N60 IXFR26N50Q IXFR44N50Q
Hersteller IXYS IXYS Corporation IXYS IXYS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 600V 500 V 500 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4V @ 4mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 25 V 8900pF @ 25V 3900 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240mOhm @ 19A, 10V 130 mOhm @ 22A, 10V 200mOhm @ 13A, 10V 120mOhm @ 22A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
FET-Merkmal - - - -
Serie HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
Verlustleistung (max) 416W (Tc) 400W (Tc) 250W (Tc) 310W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer IXFR38 - IXFR26 IXFR44
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 ISOPLUS247™ TO-247-3 TO-247-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube - Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 330nC @ 10V 95 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 28A (Tc) 38A (Tc) 24A (Tc) 34A (Tc)

IXFR38N80Q2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFR38N80Q2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFR38N80Q2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFR38N80Q2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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