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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTK180N15P
IXYS
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IXTK180N15P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTK180N15P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTK180N15P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 180A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXTK180N15P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3212

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Spezifikation

IXTK180N15P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTK180N15P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTK180N15P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK)  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 90A, 10V  
Verlustleistung (max) 800W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTK180  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTK180N15P.

Produkteigenschaften IXTK180N15P IXTK250N10 IXTK120N25 IXTK33N50
Artikelnummer IXTK180N15P IXTK250N10 IXTK120N25 IXTK33N50
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 100 V 250 V 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 430 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V
Paket Tube Box Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 800W (Tc) 730W (Tc) 730W (Tc) 416W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Serie Polar MegaMOS™ MegaMOS™ -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V 12700 pF @ 25 V 7700 pF @ 25 V 4900 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 500µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Grundproduktnummer IXTK180 IXTK250 IXTK120 IXTK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 90A, 10V 5mOhm @ 90A, 10V 20mOhm @ 500mA, 10V 170mOhm @ 500mA, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 250A (Tc) 120A (Tc) 33A (Tc)

IXTK180N15P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTK180N15P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTK180N15P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTK180N15P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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