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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTK90N25L2
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTK90N25L2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTK90N25L2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTK90N25L2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 90A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXT(K,X)90N25L2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1138

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Spezifikation

IXTK90N25L2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTK90N25L2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTK90N25L2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK)  
Serie Linear L2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 45A, 10V  
Verlustleistung (max) 960W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 640 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTK90  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTK90N25L2.

Produkteigenschaften IXTK90N25L2 IXTK75N30 IXTN17N120L IXTK80N25
Artikelnummer IXTK90N25L2 IXTK75N30 IXTN17N120L IXTK80N25
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 300 V 1200 V 250 V
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) SOT-227B TO-264 (IXTK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 640 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 155 nC @ 15 V 240 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 8300 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IXTK90 IXTK75 IXTN17 IXTK80
Befestigungsart Through Hole Through Hole Chassis Mount Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Serie Linear L2™ MegaMOS™ Linear MegaMOS™
Verlustleistung (max) 960W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 75A (Tc) 15A (Tc) 80A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 45A, 10V 42mOhm @ 500mA, 10V 900mOhm @ 8.5A, 20V 33mOhm @ 500mA, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 20V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube

IXTK90N25L2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTK90N25L2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTK90N25L2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(K,X)90N25L2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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