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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTN210P10T
IXYS
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IXTN210P10T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTN210P10T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTN210P10T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXTN210P10T.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 879

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Spezifikation

IXTN210P10T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTN210P10T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTN210P10T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie TrenchP™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 105A, 10V  
Verlustleistung (max) 830W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 69500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 740 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 210A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTN210  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTN210P10T.

Produkteigenschaften IXTN210P10T IXTN22N100L IXTL2N450 IXTN17N120L
Artikelnummer IXTN210P10T IXTN22N100L IXTL2N450 IXTN17N120L
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±15V ±30V ±20V ±30V
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 1000 V 4500 V 1200 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B ISOPLUSi5-Pak™ SOT-227B
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 740 nC @ 10 V 270 nC @ 15 V 156 nC @ 10 V 155 nC @ 15 V
Grundproduktnummer IXTN210 IXTN22 IXTL2 IXTN17
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 210A (Tc) 22A (Tc) 2A (Tc) 15A (Tc)
Serie TrenchP™ Linear - Linear
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 20V 10V 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 105A, 10V 600mOhm @ 11A, 20V 23Ohm @ 1A, 10V 900mOhm @ 8.5A, 20V
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 69500 pF @ 25 V 7050 pF @ 25 V 6900 pF @ 25 V 8300 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 830W (Tc) 700W (Tc) 220W (Tc) 540W (Tc)
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC ISOPLUSi5-Pak™ SOT-227-4, miniBLOC
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 6V @ 250µA 5V @ 250µA

IXTN210P10T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTN210P10T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTN210P10T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTN210P10T.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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