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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTN200N10L2
IXYS
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IXTN200N10L2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTN200N10L2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTN200N10L2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 178A SOT227B
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXTN200N10L2.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 1147

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Spezifikation

IXTN200N10L2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTN200N10L2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTN200N10L2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie Linear L2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 830W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 540 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 178A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTN200  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTN200N10L2.

Produkteigenschaften IXTN200N10L2 IXTK90N15 IXTN30N100L IXTN170P10P
Artikelnummer IXTN200N10L2 IXTK90N15 IXTN30N100L IXTN170P10P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 23000 pF @ 25 V 6400 pF @ 25 V 13700 pF @ 25 V 12600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 540 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 545 nC @ 20 V 240 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B TO-264 (IXTK) SOT-227B SOT-227B
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Grundproduktnummer IXTN200 IXTK90 IXTN30 IXTN170
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 1mA
Verlustleistung (max) 830W (Tc) 390W (Tc) 800W (Tc) 890W (Tc)
Serie Linear L2™ MegaMOS™ Linear Polar
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 10V 16mOhm @ 45A, 10V 450mOhm @ 15A, 20V 12mOhm @ 500mA, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 20V 10V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Paket Bulk Tube Bulk Tube
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 150 V 1000 V 100 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 178A (Tc) 90A (Tc) 30A (Tc) 170A (Tc)

IXTN200N10L2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTN200N10L2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTN200N10L2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTN200N10L2.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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