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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTN17N120L
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTN17N120L - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTN17N120L
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTN17N120L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXTN17N120L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 567

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Spezifikation

IXTN17N120L Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTN17N120L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTN17N120L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie Linear  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 8.5A, 20V  
Verlustleistung (max) 540W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 15 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTN17  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTN17N120L.

Produkteigenschaften IXTN17N120L IXTK82N25P IXTN170P10P IXTN200N10L2
Artikelnummer IXTN17N120L IXTK82N25P IXTN170P10P IXTN200N10L2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 250 V 100 V 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155 nC @ 15 V 142 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 540 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 8.5A, 20V 35mOhm @ 41A, 10V 12mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 100A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 1mA 4.5V @ 3mA
Serie Linear Polar Polar Linear L2™
Grundproduktnummer IXTN17 IXTK82 IXTN170 IXTN200
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B TO-264 (IXTK) SOT-227B SOT-227B
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8300 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 12600 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 82A (Tc) 170A (Tc) 178A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Paket Tube Tube Tube Bulk
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V 10V 10V 10V
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Chassis Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 540W (Tc) 500W (Tc) 890W (Tc) 830W (Tc)

IXTN17N120L Datenblatt PDF

Laden Sie IXTN17N120L PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTN17N120L - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTN17N120L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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