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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIXTL2X180N10T
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTL2X180N10T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTL2X180N10T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTL2X180N10T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
ISOPLUSi5-Pak™
Datenblatt
IXTL2X180N10T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1584

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Anzahl

Spezifikation

IXTL2X180N10T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTL2X180N10T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTL2X180N10T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUSi5-Pak™  
Serie Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 50A, 10V  
Leistung - max 150W  
Verpackung / Gehäuse ISOPLUSi5-Pak™  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6900pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 151nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IXTL2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTL2X180N10T.

Produkteigenschaften IXTL2X180N10T IXTL2X200N085T IXTK82N25 IXTK46N50L
Artikelnummer IXTL2X180N10T IXTL2X200N085T IXTK82N25 IXTK46N50L
Hersteller IXYS IXYS IXYS / Littelfuse IXYS
Verpackung / Gehäuse ISOPLUSi5-Pak™ ISOPLUSi5-Pak™ - TO-264-3, TO-264AA
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA - 6V @ 250µA
Leistung - max 150W 150W - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole - Through Hole
Paket Tube Tube - Bulk
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 151nC @ 10V 152nC @ 10V - 260 nC @ 15 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6900pF @ 25V 7600pF @ 25V - 7000 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IXTL2 IXTL2X200 - IXTK46
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.4mOhm @ 50A, 10V 6mOhm @ 50A, 10V - 160mOhm @ 500mA, 20V
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V 85V - 500 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A 112A - 46A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Serie Trench TrenchMV™ - Linear
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUSi5-Pak™ ISOPLUSi5-Pak™ - TO-264 (IXTK)

IXTL2X180N10T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTL2X180N10T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTL2X180N10T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTL2X180N10T.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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