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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelAPT25GT120BRDQ2G
Microchip Technology
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APT25GT120BRDQ2G - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT25GT120BRDQ2G
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT25GT120BRDQ2G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 1200V 54A 347W TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5428

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Anzahl

Spezifikation

APT25GT120BRDQ2G Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT25GT120BRDQ2G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT25GT120BRDQ2G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 25A  
Testbedingung 800V, 25A, 5Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 14ns/150ns  
Schaltenergie 930µJ (on), 720µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B]  
Serie Thunderbolt IGBT®  
Leistung - max 347 W  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ NPT  
Gate-Ladung 170 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 75 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 54 A  
Grundproduktnummer APT25GT120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT25GT120BRDQ2G.

Produkteigenschaften APT25GT120BRDQ2G APT25GP120BDQ1G APT25GN120B2DQ2G APT25GP90BDQ1G
Artikelnummer APT25GT120BRDQ2G APT25GP120BDQ1G APT25GN120B2DQ2G APT25GP90BDQ1G
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Paket Tube Tube Tube Tube
Schaltenergie 930µJ (on), 720µJ (off) 500µJ (on), 440µJ (off) 2.15µJ (off) 370µJ (off)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 54 A 69 A 67 A 72 A
Gate-Ladung 170 nC 110 nC 155 nC 110 nC
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Leistung - max 347 W 417 W 272 W 417 W
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V 1200 V 1200 V 900 V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 25A 3.9V @ 15V, 25A 2.1V @ 15V, 25A 3.9V @ 15V, 25A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 75 A 90 A 75 A 110 A
Grundproduktnummer APT25GT120 APT25GP120 APT25GN120 APT25GP90
IGBT-Typ NPT PT NPT, Trench Field Stop PT
Td (ein / aus) bei 25 ° C 14ns/150ns 12ns/70ns 22ns/280ns 13ns/55ns
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B] TO-247 [B] - TO-247 [B]
Testbedingung 800V, 25A, 5Ohm, 15V 600V, 25A, 5Ohm, 15V 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie Thunderbolt IGBT® POWER MOS 7® - POWER MOS 7®
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 Variant TO-247-3

APT25GT120BRDQ2G Datenblatt PDF

Laden Sie APT25GT120BRDQ2G PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT25GT120BRDQ2G - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
APT1/2/3/4/5/6/8xx 22/Dec/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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