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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelAPT25GP120BDQ1G
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT25GP120BDQ1G - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT25GP120BDQ1G
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT25GP120BDQ1G
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 1200V 69A 417W TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4340

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Anzahl

Spezifikation

APT25GP120BDQ1G Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT25GP120BDQ1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT25GP120BDQ1G

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 25A  
Testbedingung 600V, 25A, 5Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 12ns/70ns  
Schaltenergie 500µJ (on), 440µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B]  
Serie POWER MOS 7®  
Leistung - max 417 W  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ PT  
Gate-Ladung 110 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 90 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 69 A  
Grundproduktnummer APT25GP120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT25GP120BDQ1G.

Produkteigenschaften APT25GP120BDQ1G APT25GP90BDQ1G APT25GN120BG APT25GN120B2DQ2G
Artikelnummer APT25GP120BDQ1G APT25GP90BDQ1G APT25GN120BG APT25GN120B2DQ2G
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Grundproduktnummer APT25GP120 APT25GP90 APT25GN120 APT25GN120
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B] TO-247 [B] TO-247 [B] -
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 25A 3.9V @ 15V, 25A 2.1V @ 15V, 25A 2.1V @ 15V, 25A
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 Variant
Leistung - max 417 W 417 W 272 W 272 W
Serie POWER MOS 7® POWER MOS 7® - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V 900 V 1200 V 1200 V
Strom - Collector Pulsed (Icm) 90 A 110 A 75 A 75 A
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Testbedingung 600V, 25A, 5Ohm, 15V 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V 800V, 25A, 1Ohm, 15V 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
Gate-Ladung 110 nC 110 nC 155 nC 155 nC
Schaltenergie 500µJ (on), 440µJ (off) 370µJ (off) 2.15µJ (off) 2.15µJ (off)
IGBT-Typ PT PT Trench Field Stop NPT, Trench Field Stop
Strom - Kollektor (Ic) (max) 69 A 72 A 67 A 67 A
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Td (ein / aus) bei 25 ° C 12ns/70ns 13ns/55ns 22ns/280ns 22ns/280ns

APT25GP120BDQ1G Datenblatt PDF

Laden Sie APT25GP120BDQ1G PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT25GP120BDQ1G - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
APT1/2/3/4/5/6/8xx 22/Dec/2022.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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