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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-IGBTs-EinzelAPT25GP120BG
Microchip Technology
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APT25GP120BG - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT25GP120BG
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT25GP120BG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IGBT 1200V 69A 417W TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
Power Products Catalog.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4910

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Anzahl

Spezifikation

APT25GP120BG Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT25GP120BG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT25GP120BG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V  
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 25A  
Testbedingung 600V, 25A, 5Ohm, 15V  
Td (ein / aus) bei 25 ° C 12ns/70ns  
Schaltenergie 500µJ (on), 438µJ (off)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B]  
Serie POWER MOS 7®  
Leistung - max 417 W  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabetyp Standard  
IGBT-Typ PT  
Gate-Ladung 110 nC  
Strom - Collector Pulsed (Icm) 90 A  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 69 A  
Grundproduktnummer APT25GP120  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT25GP120BG.

Produkteigenschaften APT25GP120BG APT25GT120BRDQ2G APT25GN120BG APT25GP90BDQ1G
Artikelnummer APT25GP120BG APT25GT120BRDQ2G APT25GN120BG APT25GP90BDQ1G
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Grundproduktnummer APT25GP120 APT25GT120 APT25GN120 APT25GP90
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V 1200 V 1200 V 900 V
Gate-Ladung 110 nC 170 nC 155 nC 110 nC
Supplier Device-Gehäuse TO-247 [B] TO-247 [B] TO-247 [B] TO-247 [B]
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 25A 3.7V @ 15V, 25A 2.1V @ 15V, 25A 3.9V @ 15V, 25A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 90 A 75 A 75 A 110 A
Serie POWER MOS 7® Thunderbolt IGBT® - POWER MOS 7®
Testbedingung 600V, 25A, 5Ohm, 15V 800V, 25A, 5Ohm, 15V 800V, 25A, 1Ohm, 15V 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Leistung - max 417 W 347 W 272 W 417 W
Schaltenergie 500µJ (on), 438µJ (off) 930µJ (on), 720µJ (off) 2.15µJ (off) 370µJ (off)
Paket Tube Tube Tube Tube
IGBT-Typ PT NPT Trench Field Stop PT
Td (ein / aus) bei 25 ° C 12ns/70ns 14ns/150ns 22ns/280ns 13ns/55ns
Strom - Kollektor (Ic) (max) 69 A 54 A 67 A 72 A
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabetyp Standard Standard Standard Standard

APT25GP120BG Datenblatt PDF

Laden Sie APT25GP120BG PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT25GP120BG - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
HTML -Datenblatt
Power Products Catalog.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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