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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT55M50JFLL
APT55M50JFLL Image
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APT55M50JFLL - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
APT55M50JFLL
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-APT55M50JFLL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 550V 77A ISOTOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
APT55M50JFLL.pdf
vorrätig: 4950

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Spezifikation

APT55M50JFLL Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APT55M50JFLL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APT55M50JFLL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie POWER MOS 7®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 38.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 694W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 265 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 550 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 77A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APT55M50JFLL.

Produkteigenschaften APT55M50JFLL APT56F50B2 APT5510JFLL APT56M60L
Artikelnummer APT55M50JFLL APT56F50B2 APT5510JFLL APT56M60L
Hersteller Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 38.5A, 10V 100mOhm @ 28A, 10V 100mOhm @ 22A, 10V 130mOhm @ 28A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 77A (Tc) 56A (Tc) 44A (Tc) 60A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 694W (Tc) 780W (Tc) 463W (Tc) 1040W (Tc)
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 Variant SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Through Hole
Drain-Source-Spannung (Vdss) 550 V 500 V 550 V 600 V
Serie POWER MOS 7® POWER MOS 8™ POWER MOS 7® -
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® T-MAX™ [B2] ISOTOP® TO-264
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12400 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V 5823 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 265 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 124 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V

APT55M50JFLL Datenblatt PDF

Laden Sie APT55M50JFLL PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für APT55M50JFLL - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Datenblätter
APT55M50JFLL.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-APT55M50JFLL

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