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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT56M50L
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT56M50L - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT56M50L
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT56M50L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 56A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
APT56M50L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3700

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Anzahl

Spezifikation

APT56M50L Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT56M50L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT56M50L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 28A, 10V  
Verlustleistung (max) 780W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc)  
Grundproduktnummer APT56M50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT56M50L.

Produkteigenschaften APT56M50L APT56F60B2 APT56M60B2 APT58M50JU2
Artikelnummer APT56M50L APT56F60B2 APT56M60B2 APT58M50JU2
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8800 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 28A, 10V 110mOhm @ 28A, 10V 130mOhm @ 28A, 10V 65mOhm @ 42A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 600 V 500 V
Supplier Device-Gehäuse TO-264 T-MAX™ [B2] TO-247 [B] SOT-227
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V 280 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tube Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc) 58A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Chassis Mount
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Grundproduktnummer APT56M50 APT56F60 APT56M60 APT58M50
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 Variant TO-247-3 Variant SOT-227-4, miniBLOC
Verlustleistung (max) 780W (Tc) 1040W (Tc) 1040W (Tc) 543W (Tc)

APT56M50L Datenblatt PDF

Laden Sie APT56M50L PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT56M50L - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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