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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT56F50B2
Microchip Technology
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

APT56F50B2 - Microchip Technology

Hersteller Artikelnummer
APT56F50B2
Hersteller
Microchip Technology
Allelco Artikelnummer
32D-APT56F50B2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 56A T-MAX
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
APT56F50B2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4251

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Anzahl

Spezifikation

APT56F50B2 Tech -Spezifikationen
Microchip Technology - APT56F50B2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microchip Technology - APT56F50B2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse T-MAX™ [B2]  
Serie POWER MOS 8™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 28A, 10V  
Verlustleistung (max) 780W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc)  
Grundproduktnummer APT56F50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microchip Technology APT56F50B2.

Produkteigenschaften APT56F50B2 APT58M50JCU2 APT58M50JCU3 APT56M50L
Artikelnummer APT56F50B2 APT58M50JCU2 APT58M50JCU3 APT56M50L
Hersteller Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology
Grundproduktnummer APT56F50 APT58M50 - APT56M50
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA
Paket Tube Bulk Bulk Tube
Befestigungsart Through Hole Chassis Mount Chassis Mount Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 28A, 10V 65mOhm @ 42A, 10V 65mOhm @ 42A, 10V 100mOhm @ 28A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 780W (Tc) 543W (Tc) 543W (Tc) 780W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V
Serie POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8800 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc) 58A (Tc) 58A (Tc) 56A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Supplier Device-Gehäuse T-MAX™ [B2] SOT-227 SOT-227 TO-264
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 500 V 500 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

APT56F50B2 Datenblatt PDF

Laden Sie APT56F50B2 PDF -Datenblätter und Microchip Technology -Dokumentation für APT56F50B2 - Microchip Technology herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Andere
Integration 13/May/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Fab Site 27/Jul/2022.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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