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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAPT55M65JFLL
APT55M65JFLL Image
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APT55M65JFLL - Microsemi Corporation

Hersteller Artikelnummer
APT55M65JFLL
Hersteller
Microsemi
Allelco Artikelnummer
32D-APT55M65JFLL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 550V 63A ISOTOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
APT55M65JFLL.pdf
vorrätig: 5480

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Spezifikation

APT55M65JFLL Tech -Spezifikationen
Microsemi Corporation - APT55M65JFLL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Microsemi Corporation - APT55M65JFLL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Microsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP®  
Serie POWER MOS 7®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 31.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 595W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9165 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 205 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 550 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 63A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Microsemi Corporation APT55M65JFLL.

Produkteigenschaften APT55M65JFLL APT5518BFLLG APT58M50JCU2 APT56F50L
Artikelnummer APT55M65JFLL APT5518BFLLG APT58M50JCU2 APT56F50L
Hersteller Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse ISOTOP® TO-247-3 SOT-227 TO-264 [L]
FET-Merkmal - - - -
Serie POWER MOS 7® POWER MOS 7® POWER MOS 8™ POWER MOS 8™
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA
Befestigungsart Chassis Mount Through Hole Chassis Mount Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 205 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 340 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 63A (Tc) 31A (Tc) 58A (Tc) 56A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 550 V 550 V 500 V 500 V
Verlustleistung (max) 595W (Tc) 403W (Tc) 543W (Tc) 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 31.5A, 10V 180mOhm @ 15.5A, 10V 65mOhm @ 42A, 10V 100mOhm @ 28A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Bulk Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9165 pF @ 25 V 3286 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA 5V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5V @ 2.5mA

APT55M65JFLL Datenblatt PDF

Laden Sie APT55M65JFLL PDF -Datenblätter und Microsemi Corporation -Dokumentation für APT55M65JFLL - Microsemi Corporation herunter.

Umweltinformationen
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Datenblätter
APT55M65JFLL.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-APT55M65JFLL

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