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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAUIRF7342QTR
AUIRF7342QTR Image
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AUIRF7342QTR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF7342QTR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF7342QTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AUIRF7342QTR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 22610

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF7342QTR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF7342QTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF7342QTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.4A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer AUIRF7342  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF7342QTR.

Produkteigenschaften AUIRF7342QTR AUIRF7341QTR AUIRF7313QTR AUIRF7316QTR
Artikelnummer AUIRF7342QTR AUIRF7341QTR AUIRF7313QTR AUIRF7316QTR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V 44nC @ 10V 33nC @ 10V 34nC @ 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.4A 5.1A 6.9A -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 25V 780pF @ 25V 755pF @ 25V 710pF @ 25V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Leistung - max 2W 2.4W 2.4W 2W
Grundproduktnummer AUIRF7342 AUIRF7341 AUIRF7313 AUIRF7316
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 10V 29mOhm @ 6.9A, 10V 58mOhm @ 4.9A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V 55V 30V 30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)

AUIRF7342QTR Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF7342QTR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF7342QTR - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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