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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAUIRF7343QTR
International Rectifier
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AUIRF7343QTR - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
AUIRF7343QTR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF7343QTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
AUIRF7343Q - 30V-55V DUAL N AND
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AUIRF7343QTR.pdf
vorrätig: 3920

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF7343QTR Tech -Spezifikationen
International Rectifier - AUIRF7343QTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - AUIRF7343QTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A, 3.4A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer AUIRF7343  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier AUIRF7343QTR.

Produkteigenschaften AUIRF7343QTR AUIRF7379QTR AUIRF7316QTR AUIRF7379Q
Artikelnummer AUIRF7343QTR AUIRF7379QTR AUIRF7316QTR AUIRF7379Q
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V 25nC @ 10V 34nC @ 10V 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V 58mOhm @ 4.9A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer AUIRF7343 AUIRF7379 AUIRF7316 AUIRF7379
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V 30V 30V 30V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.7A, 3.4A 5.8A, 4.3A - 5.8A, 4.3A
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 25V 520pF @ 25V 710pF @ 25V 520pF @ 25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Leistung - max 2W 2.5W 2W 2.5W

Lieferung

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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