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AUIRF7379Q - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF7379Q
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF7379Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AUIRF7379Q.pdf
vorrätig: 5080

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF7379Q Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF7379Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF7379Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V  
Leistung - max 2.5W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.8A, 4.3A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer AUIRF7379  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF7379Q.

Produkteigenschaften AUIRF7379Q AUIRF7341QTR AUIRF7342QTR AUIRF7379QTR
Artikelnummer AUIRF7379Q AUIRF7341QTR AUIRF7342QTR AUIRF7379QTR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Konfiguration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Leistung - max 2.5W 2.4W 2W 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 55V 55V 30V
Serie HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.8A, 4.3A 5.1A 3.4A 5.8A, 4.3A
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundproduktnummer AUIRF7379 AUIRF7341 AUIRF7342 AUIRF7379
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V 780pF @ 25V 690pF @ 25V 520pF @ 25V
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 44nC @ 10V 38nC @ 10V 25nC @ 10V

AUIRF7379Q Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF7379Q PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF7379Q - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
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