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AUIRF7416QTR Image
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AUIRF7416QTR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF7416QTR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF7416QTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AUIRF7416Q.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4440

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Spezifikation

AUIRF7416QTR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF7416QTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF7416QTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.04V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF7416QTR.

Produkteigenschaften AUIRF7416QTR AUIRF7675M2TR AUIRF7737L2TR AUIRF7732S2TR
Artikelnummer AUIRF7416QTR AUIRF7675M2TR AUIRF7737L2TR AUIRF7732S2TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.04V @ 250µA 5V @ 100µA 4V @ 150µA 4V @ 50µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Ta) 4.4A (Ta), 18A (Tc) 31A (Ta), 156A (Tc) 14A (Ta)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric M2 DirectFET™ Isometric L6 DirectFET™ Isometric SC
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5.6A, 10V 56mOhm @ 11A, 10V 1.9mOhm @ 94A, 10V 6.95mOhm @ 33A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 134 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse 8-SO DirectFET™ Isometric M2 DIRECTFET L6 DIRECTFET™ SC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 150 V 40 V 40 V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 2.7W (Ta), 45W (Tc) 3.3W (Ta), 83W (Tc) 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 5469 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

AUIRF7416QTR Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF7416QTR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF7416QTR - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 31/Jul/2019.pdf
Datenblätter
AUIRF7416Q.pdf

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