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AUIRF7379QTR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRF7379QTR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRF7379QTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
AUIRF7379QTR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4060

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Anzahl

Spezifikation

AUIRF7379QTR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRF7379QTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRF7379QTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V  
Leistung - max 2.5W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.8A, 4.3A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer AUIRF7379  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRF7379QTR.

Produkteigenschaften AUIRF7379QTR AUIRF7342QTR AUIRF7343QTR AUIRF7379Q
Artikelnummer AUIRF7379QTR AUIRF7342QTR AUIRF7343QTR AUIRF7379Q
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 38nC @ 10V 36nC @ 10V 25nC @ 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 5.8A, 10V 105mOhm @ 3.4A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 55V 55V 30V
Grundproduktnummer AUIRF7379 AUIRF7342 AUIRF7343 AUIRF7379
Serie HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V 690pF @ 25V 740pF @ 25V 520pF @ 25V
Konfiguration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel N and P-Channel
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.8A, 4.3A 3.4A 4.7A, 3.4A 5.8A, 4.3A
Leistung - max 2.5W 2W 2W 2.5W

AUIRF7379QTR Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRF7379QTR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRF7379QTR - Infineon Technologies herunter.

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