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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFR200N10P
IXFR200N10P Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFR200N10P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFR200N10P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFR200N10P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFR200N10P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3723

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Spezifikation

IXFR200N10P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFR200N10P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFR200N10P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 133A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFR200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFR200N10P.

Produkteigenschaften IXFR200N10P IXFR24N50Q IXFR26N60Q IXFR180N10
Artikelnummer IXFR200N10P IXFR24N50Q IXFR26N60Q IXFR180N10
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IXFR200 IXFR24 IXFR26 IXFR180
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Box Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 235 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V 3900 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 100A, 10V 230mOhm @ 12A, 10V 250mOhm @ 13A, 10V 8mOhm @ 90A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 133A (Tc) 22A (Tc) 23A (Tc) 165A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 500 V 600 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4V @ 8mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 250W (Tc) 310W (Tc) 400W (Tc)
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IXFR200N10P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFR200N10P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFR200N10P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFR200N10P.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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