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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTN21N100
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTN21N100 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTN21N100
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTN21N100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXT(K,N)21N100.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3890

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Spezifikation

IXTN21N100 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTN21N100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTN21N100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie MegaMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 520W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTN21  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTN21N100.

Produkteigenschaften IXTN21N100 IXTN210P10T IXTN40P50P IXTL2N450
Artikelnummer IXTN21N100 IXTN210P10T IXTN40P50P IXTL2N450
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 100 V 500 V 4500 V
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IXTN21 IXTN210 IXTN40 IXTL2
Vgs (Max) ±20V ±15V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 520W (Tc) 830W (Tc) 890W (Tc) 220W (Tc)
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250 nC @ 10 V 740 nC @ 10 V 205 nC @ 10 V 156 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V 69500 pF @ 25 V 11500 pF @ 25 V 6900 pF @ 25 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B ISOPLUSi5-Pak™
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 500µA 4.5V @ 250µA 4V @ 1mA 6V @ 250µA
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC ISOPLUSi5-Pak™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 10V 7.5mOhm @ 105A, 10V 230mOhm @ 500mA, 10V 23Ohm @ 1A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc) 210A (Tc) 40A (Tc) 2A (Tc)
Serie MegaMOS™ TrenchP™ PolarP™ -

IXTN21N100 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTN21N100 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTN21N100 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(K,N)21N100.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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