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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTY100NS20FD
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STY100NS20FD - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STY100NS20FD
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STY100NS20FD
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STY100NS20FD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5220

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Spezifikation

STY100NS20FD Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STY100NS20FD Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STY100NS20FD

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse MAX247™  
Serie MESH OVERLAY™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 450W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer STY100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STY100NS20FD.

Produkteigenschaften STY100NS20FD STY30NK90Z STY80NM60N STY139N65M5
Artikelnummer STY100NS20FD STY30NK90Z STY80NM60N STY139N65M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 26A (Tc) 74A (Tc) 130A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 150µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7900 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 10100 pF @ 50 V 15600 pF @ 100 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Vgs (Max) ±20V ±30V ±25V ±25V
Supplier Device-Gehäuse MAX247™ MAX247™ MAX247™ MAX247™
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 50A, 10V 260mOhm @ 14A, 10V 35mOhm @ 37A, 10V 17mOhm @ 65A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 900 V 600 V 650 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie MESH OVERLAY™ SuperMESH™ MDmesh™ II MDmesh™ V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360 nC @ 10 V 490 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 363 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 450W (Tc) 450W (Tc) 447W (Tc) 625W (Tc)
Grundproduktnummer STY100 STY30N STY80N STY139

STY100NS20FD Datenblatt PDF

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Datenblätter
STY100NS20FD.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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