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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTY100NM60N
STMicroelectronics
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STY100NM60N - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STY100NM60N
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STY100NM60N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
STY100NM60N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1954

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Anzahl

Spezifikation

STY100NM60N Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STY100NM60N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STY100NM60N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) 25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse MAX247™  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 49A, 10V  
Verlustleistung (max) 625W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9600 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 98A (Tc)  
Grundproduktnummer STY100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STY100NM60N.

Produkteigenschaften STY100NM60N STY60NM50 STY30NK90Z STY34NB50
Artikelnummer STY100NM60N STY60NM50 STY30NK90Z STY34NB50
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 900 V 500 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie MDmesh™ II MDmesh™ SuperMESH™ PowerMESH™
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 49A, 10V 50mOhm @ 30A, 10V 260mOhm @ 14A, 10V 130mOhm @ 17A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 150µA 5V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9600 pF @ 50 V 7500 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
Vgs (Max) 25V ±30V ±30V ±30V
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V 266 nC @ 10 V 490 nC @ 10 V 223 nC @ 10 V
Grundproduktnummer STY100 STY60 STY30N STY34N
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse MAX247™ MAX247™ MAX247™ MAX247™
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 98A (Tc) 60A (Tc) 26A (Tc) 34A (Tc)
Verlustleistung (max) 625W (Tc) 560W (Tc) 450W (Tc) 450W (Tc)

STY100NM60N Datenblatt PDF

Laden Sie STY100NM60N PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STY100NM60N - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8603 21/Jul/2014.pdf
Datenblätter
STY100NM60N.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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